Industriële Toepassingen

Bestraalde isotopen zijn zeer geschikt voor industriële toepassingen. Zo worden gamma bestralingen gebruikt voor product ontwikkeling en Silicon voor power electronics. NRG heeft een proven track record op het gebied van neutron transmutation doped (NTD) silicon ingots.

NDT Iridium
De markt voor niet-destructief testen (NDT; een manier om de conditie/integriteit van objecten zoals pijpleidingen te bepalen, zonder ze te hoeven beschadigen) vereist bronnen met een hoge specifieke activiteit (>200 Ci/g).

Industriële radiografie met behulp van een Ir-192 bron is een welbekende niet-destructieve techniek (ndt) om industriële componenten te onderzoeken. De techniek wordt vooral ingezet bij het onderzoek van lasnaden in drukvaten en pijpleidingen. Populair gezegd maakt men een foto van de lasnaad door middel van gammastraling uitgezonden door de Ir-192 bron. Hiermee kan worden vastgesteld of de lasnaad aan de gestelde kwaliteitseisen voldoet.

Hoge flux reactoren, zoals de HFR, zijn uitermate geschikt voor het efficiënt produceren van deze bronnen. In de HFR worden Iridium-192 (Ir-192), cobalt-60 (Co-60) en ytterbium- 169 (Yb-169) geproduceerd.

NDT Ir-192 wordt verreweg de meest gebruikte NDT-bron en is gebaseerd op het verschijnsel van absorptie van gammastraling door materialen. Als gevolg van de straling op het materiaal wordt er een beeld op film verkregen. Deze methode wordt toegepast in onderzoeken naar de aanwezigheid van interne gebreken in lasnaden, gelaste verbindingen, gietstukken, bestanddelen van machines en diverse constructies.

NTD Silicium
NRG voert bestralingen uit voor de halfgeleider industrie (hoogvermogen elektronica met toepassingen in o.a. hoge snelheidstreinen, thyristors (halfgeleider met werking van een elektronische schakelaar) in elektriciteitscentrales en elektromotoren voor hybride en elektrische auto’s). De bestralingen hebben als doel om weerstandveranderingen in materialen te realiseren. Dit wordt Neutron Transmutation Doped Silicium (NTD silicium) genoemd.

Door het activeren van één kristal silicium ingots wordt de elektrische weerstand naar een gewenste waarde in ohm-cm verlaagd. Dit proces is onomkeerbaar, stabiel Si-30 wordt radioactief Si-31 en vervalt met een halfwaardetijd van 2,62uur naar stabiel P-31. Dit P-31 is de ‘verontreiniging’ in het silicium, dit zorgt voor de gewenste verandering in de elektrische weerstand.